光刻膠去除劑高剪切分散機
二、光刻膠去除劑
根據光刻膠下游應用領域不同，公司光刻膠去除劑包括集成電路制造用、晶圓級封裝用、LED/OLED用等系列產品，是用于圖形化工藝光刻膠殘留物去除的濕化學品，通過將半導體晶片浸入清洗液中或者利用清洗液沖洗半導體晶片，去除半導體晶片上的光刻膠殘留物。
三、光刻膠去除技術
隨著集成電路技術的發展，其關鍵尺寸逐漸降低到亞微米。濕法蝕刻工藝因其各向蝕刻特性，越來越不能滿足需求，干法蝕刻工藝應運而生。干法蝕刻工藝提供各向異性蝕刻形成金屬線（metal）、通孔（via）的同時，其離子束對光刻膠及鋁硅銅、鋁銅、氧化物非介電質材質進行轟擊，使其表面形成高度交聯的光刻膠殘留物，同時因氬氣轟擊反濺作用，側壁富含金屬材質。干法灰化工藝的采用，使其殘留物中含有有機、無機氧化物及其金屬化合物。這就要求光刻膠去除同時具有有機殘留物、無機殘留物以及金屬交聯殘留物去除能力。
四、光刻膠剝離液氧化物分散問題
在制備光刻膠去除劑中，需要加入一些無機氧化物或金屬化合物，以粉體的形式加入液中，納米的細小顆粒與液體介質充分接觸時候，粒子相互之間的團聚力導致粉體出現團聚現象，光刻膠去除劑的技術要求，需將氧化物粉體在液相中均質打開，分散均勻。GRS超高速研磨分散機是我公司德國技術的主要產品，可很好的解聚，均質，分散。得到更穩定的懸浮液。
五、GRS超高速研磨分散機的優勢
研磨分散機是由電動機通過皮帶傳動帶動轉齒（或稱為轉子）與相配的定齒（或稱為定子）作相對的高速旋轉，被加工物料通過本身的重量或外部壓力（可由泵產生）加壓產生向下的螺旋沖擊力，透過膠體磨定、轉齒之間的間隙（間隙可調）時受到強大的剪切力、摩擦力、高頻振動等物理作用，使物料被有效地乳化、分散和粉碎，達到物料超細粉碎及乳化的效果。
研磨分散機的細化作用一般來說要強于均質機，但它對物料的適應能力較強（如高粘度、大顆粒），所以在很多場合下，它用于均質機的前道或者用于高粘度的場合。
4、全新的結構設計，將膠體磨和分散機一體化的設備，膠體磨磨頭+分散盤定轉子，先研磨后分散效果更佳。
六、高剪切研磨分散機
研磨式分散機是由膠體磨,分散機組合而成的高科技產品。
*級由具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調整到所需要的與轉子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。
第二級由轉定子組成。分散頭的設計也很好地滿足不同粘度的物質以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉子（乳化頭）和批次式機器的工作頭設計的不同主要是因為在對輸送性的要求方面，特別要引起注意的是：在粗精度、中等精度、細精度和其他一些工作頭類型之間的區別不光是轉子齒的排列，還有一個很重要的區別是不同工作頭的幾何學特征不一樣。狹槽數、狹槽寬度以及其他幾何學特征都能改變定子和轉子工作頭的不同功能。根據以往的慣例，依據以前的經驗工作頭來滿足一個具體的應用。在大多數情況下，機器的構造是和具體應用相匹配的，因而它對制造出終產品是很重要。當不確定一種工作頭的構造是否滿足預期的應用。線速度很高，剪切間隙非常小，這樣當物料經過的時候，形成的摩擦力就比較劇烈，結果就是通常所說的濕磨。定轉子被制成圓椎形，具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調整到所需要的與轉子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。高質量的表面拋光和結構材料，可以滿足不同行業的多種要求
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以下為型號表供參考：
型號 | 標準流量 L/H | 輸出轉速 rpm | 標準線速度 m/s | 馬達功率 KW | 進口尺寸 | 出口尺寸 |
GRS2000/4 | 400 | 18000 | 44 | 4 | DN25 | DN15 |
GRS2000/5 | 1500 | 10500 | 44 | 11 | DN40 | DN32 |
GRS2000/10 | 4000 | 7200 | 44 | 22 | DN80 | DN65 |
GRS2000/20 | 10000 | 4900 | 44 | 45 | DN80 | DN65 |
GRS2000/30 | 20000 | 2850 | 44 | 90 | DN150 | DN125 |
GRS2000/50 | 60000 | 1100 | 44 | 160 | DN200 | DN150 |
光刻膠去除劑高剪切分散機
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